86-4698-34　CVD Graphene on SiO2, 1 Layer, 3cm x 3cm　CAS No:7782-42-5 (graphene), 7631-86-9 (silicon dioxide), 7440-21-3 (silicon)　CVSO1033

特徴

• Our proven, proprietary method for CVD transfer of graphene onto P-type, 1-10 Ω・CM silicon dioxide substrate includes the following steps：
• ・Growing monolayer graphene on copper foil
• ・Depositing onto SiO2 via PMMA
• ・Curing
• ・Removing Cu by etching process
• ・Washing PMMA/graphene in DI water
• ・Redepositing PMMA/graphene onto silicon dioxide substrate followed by curing
• ・Removing PMMA with acetone

仕様

• graphene, silicon dioxide, silicon
• 入数サイズ：1piece
• Sheet Resistance：＜600Ω/sq
• Custom Order：＜300Ω/sq
• Transparency：＞95％
• Silicon Wafer：
• ・Wafer Tickness：625 μm
• ・Resistivity：＜0.01 ohm-cm
• ・Type/Dopant：P
• ・Orientation：＜100＞
• ・Front Surface：Polished
• ・Back Surface：Etched
• この商品は法規制を確認しておりません。（法規制によって販売できない場合もございます）
• CAS No ：7782-42-5 (graphene), 7631-86-9 (silicon dioxide), 7440-21-3 (silicon)

• 【試薬に関するお問合せ】
• アズワン株式会社 試薬・プロセス材料グループ
• TEL：06-6447-8641
• FAX：06-6447-8642
• E-mail：[email protected]