86-4698-25　CVD Graphene on Silicon, 1 Layer, 1in x 1in　CAS No:7782-42-5 (graphene), 7440-21-3 (silicon)　CVSI1022

特徴

• ACS Material produces ultra-thin graphene on copper substrates using CVD. We then use PMMA method to transfer the copper-based graphene to a silicon substrate. Graphene on silicon substrate is available in four graphene thicknesses： 1 layer, 2 layers, 3-5 layers, and 6-8 layers. We offer 1cm x 1cm substrates and 1in x 1in substrates. We are also able to transfer graphene on these substrates using metal-assisted exfoliation （MEA） method.

仕様

• graphene, silicon
• 入数サイズ：1piece
• Sheet Resistance：＜600Ω/sq
• Custom Order：＜300Ω/sq
• Transparency：＞95％
• Silicon Wafer：
• ・Wafer Tickness：625 μm
• ・Resistivity：＜0.01 ohm-cm
• ・Type/Dopant：P
• ・Orientation：＜100＞
• ・Front Surface：Polished
• ・Back Surface：Etched
• この商品は法規制を確認しておりません。（法規制によって販売できない場合もございます）
• CAS No ：7782-42-5 (graphene), 7440-21-3 (silicon)

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