89-8384-05 Back-gated OFET Substrate, n-doped silicon wafer with 230 nm SiO2 gate-insulator, chips (diced) FIPMS176-1PAK FIPMS176
[Sigma Aldrich Japan(Sigma-Aldrich)] Back-gated OFET Substrate, n-doped silicon wafer with 230 nm SiO2 gate-insulator, chips (diced) FIPMS176-1PAK
仕様
- サイズ：1PAK
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- ※国内外の在庫状況により納期が表記と異なる事がございますことご了承ください。
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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