特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- ＜ザグリ仕様＞
- ザグリサイズ：3インチ真円（77mm）
- ザグリ深さ：350μm
- 配置：中心部分に1個
- ザグリ数：1個
- ＜ザグリ加工母材＞
- サイズ：8インチSiウェハ
- ウェハー厚（μm）：725±25
- 製造方法：CZ法
- 導電型：P型
- 面方位：100
- 抵抗値（Ω・cm）：1～100
- OF：有
- 面状態：ミラー／エッチド
- TTV（μm）：≦15
- ニゲ：無し
- 梱包：プラダン
- 数量：5枚
- ※特注対応品：
- 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
- ザグリのニゲ希望、厚み、サイズの仕様変更等ご希望が御座いましたらお気軽にお申しつけ下さいませ。
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありませんすが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- 荷姿サイズ：200×200×200mm 0.40kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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