68-5627-64　8インチSIC基板（ダミーグレード/4H-N）研究用 10枚入

特徴

• 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

• グレード：Dummy
• タイプ：4H
• Surface orientation error：面に対し4°OFF
• ドーパント：N型
• 抵抗率：0.015～0.028ohm・cm
• 厚み：500±25 μm
• TTV：≤20μm
• マイクロパイプ：≤20ea／cm
• 面状態：面状態
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※特注対応でのご注文の際はお問い合わせください。
• 荷姿サイズ：200×210×260mm　1.50kg [荷姿サイズについて]