特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- サイズ：5インチシリコンウェハ
- 直径（mm）：125.0±0.2
- ウェハー厚（μm）：625±25
- 製造方法：CZ法
- 導電型：ドンドープ
- 面方位：100
- OF方位：110
- 抵抗値（Ω・cm）：≦0.02
- OF長（mm）：42.5±2.5
- 面状態：ミラー／エッチド
- パーティクル：≧0.3μm,≦20個
- TTV（μm）：≦25
- 数量：1枚
- ※特注対応品：
- 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
- ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- 1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
- 荷姿サイズ：200×210×190mm 1.50kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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