68-4150-82　Pチャンネル パワーMOSFET 38 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1セット（800個入）　IRF5210STRLPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、適したシステム効率を発揮できます。

仕様

• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：38 A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：60 mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
• パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：170 W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5892