68-4088-81 [取扱停止]GaN基板 2インチ自立基板 ダミーグレード Nタイプ(Si-doped) (片面鏡面) GaN-FS-C-N-C50-SSP
特徴
- 高品質の単結晶GaN基板
仕様
- ※ダミーグレード
- 直径: 50.8 ± 0.3mm
- 厚さ: 400 ± 30 μm
- オリフラ: (1-100)±0.1° オリフラ長12.5±1.0mm
- TTV/反り: 15μm以下 / 20 μm以下
- 抵抗率(300K): ≤ 0.02 Ω・cm
- Ga面仕上げ: Ra<0.3 nm エピ研磨
- N面仕上げ: 0.5 ~1.5 μm
- 面方位: M軸に対して、C面(0001) 0.55±0.15°オフ
- 貫通転位密度: ≤ 3 x 10^6 cm-2
- 使用可能面積: >70%
- 梱包形態: クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
- 荷姿サイズ:60×60×30mm 0.10kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション (サイズ違い・スペック違い・オプション品など)
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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68-4088-81
GaN基板 2インチ自立基板 ダミーグレード Nタイプ(Si-doped) (片面鏡面)
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68-4088-82
GaN基板 2インチ自立基板 ダミーグレード Nタイプ(undoped) (両面鏡面)
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よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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