68-4088-80　［受注停止］GaN基板 4インチ テンプレート Nタイプ（undoped） （両面鏡面）　GaN-T-C-U-C100-DSP

特徴

• 高品質の単結晶GaN基板

仕様

• 直径：100 ± 0.2mm
• 厚さ：4.5 ± 0.5μm
• GaN面方位：A軸に対して、C面（0001） 0.2±0.1°オフ
• GaN面オリフラ：（1-100） 0±0.2°。長さ 30± 1mm
• タイプ：N型（ノンドープ）"
• 抵抗率（300K）：＜ 0.5Ω・cm
• キャリア濃度：≦2×10～17 cm‐3
• 移動度：＞300cm2/V-s
• 基板構造：サファイア上にGaN（ ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 650 ±25μm sapphire）
• 転移密度：5×10～8cm-2以下
• 研磨： SSP（前面エピ研磨）
• 使用可能面積： ＞90％ （エッジ及びマクロ欠陥を除く）
• 梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
• 荷姿サイズ：135×130×25mm　0.07kg [荷姿サイズについて]