特徴
- 高品質の単結晶GaN基板
仕様
- 直径：50.8 ±0.2 mm
- 厚さ：4.5 ± 0.5μm
- GaN面方位：A軸に対して、C面（0001） 0.2±0.1°オフ
- GaN面オリフラ： （1-100） 0±0.2°。長さ 16 ± 1mm
- タイプ：N型（ノンドープ品）"
- 抵抗率（300K）：＜ 0.5Ω・cm
- キャリア濃度：≦2×10^17 cm‐3
- 移動度：＞300cm2/V-s
- 基板構造：サファイア上にGaN（ ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 430 ±25μm sapphire）
- 転移密度：5×10～8cm-2以下
- 研磨：SSP（前面エピ研磨）
- 使用可能面積：＞90％ （エッジ及びマクロ欠陥を除く）
- 梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
- 荷姿サイズ：60×60×30mm 0.10kg [荷姿サイズについて]
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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