68-4088-78　単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N（ダミーグレード）

特徴

• 高品質の単結晶SiCウェハ

仕様

• 結晶タイプ： 4H-SiC
• 導電型： Nタイプ
• グレード： ダミー
• 直径： 200.0mm ± 0.2mm （8インチ）
• 厚さ： 500 μm±25 μm
• オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°
• マイクロパイプ密度（MPD）： 10 個/cm-2 以下
• 比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm （75％面積）
• ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm
• 面方位： {0001}± 0.2°
• 反り： LTV≤10μm（10*10mm2）、TTV≤15 μm、BOW≤65μm、WARP≤70 μm
• 表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready （Si面 Ra≤0.5 nm）
• エッジクラック： N/A
• 結晶多形： 累積面積≤5％
• エッジチッピング： N/A
• レーザーマーク： C面（裏面）側に有り
• 梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
• 荷姿サイズ：210×210×30mm　0.10kg [荷姿サイズについて]