特徴
- 高品質の単結晶SiCウェハ
仕様
- 結晶タイプ： 4H-SiC
- 導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素
- グレード： プロダクション
- 直径： 149.5mm～ 150.0mm （6インチ）
- 厚さ： 350 μm±25 μm
- オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°
- マイクロパイプ密度（MPD）： 2 個/cm-2 以下
- 比抵抗値： 0.015～0.024Ω-cm
- オリフラ： {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm
- エッジ除外領域（EE）： ウェハ端から3mm
- 反り： LTV≤2.5μm、TTV≤6μm、BOW≤25μm、WARP≤35 μm
- 表面仕上げ： 両面CMP （Si面 Ra≤0.2 nm）
- エッジクラック： 無
- 結晶多形： 無
- エッジチッピング： 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無
- レーザーマーク： C面（裏面）側に有り
- 梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
- 荷姿サイズ：160×160×30mm 0.10kg [荷姿サイズについて]
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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