特徴
- 高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様
- ポリタイプ： 4H-SiC
- サイズ： φ4inch（99.5-100mm）
- グレード： ZMP（プライムグレード相当）
- 厚さ： 500 μm +- 25μm
- オフ角： ＜0001＞ on-axis +/-0.5°
- オリフラ付： {10-10}に平行して+/-0.5°
- 長さ：32.5 +/- 2mm
- マイクロパイプ密度： 1個以下/cm2
- 比抵抗値： ≧1E 10 Ω・cm
- 仕上げ： Si面→CMP、C面→ 光学鏡面
- 梱包：シングルケース
- 荷姿サイズ：160×160×30mm 0.10kg [荷姿サイズについて]
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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