68-4088-73 単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N（ダミーグレード）
仕様
- 結晶タイプ： 4H-SiC
- 導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素
- グレード：ダミーグレード
- 直径： 150.0mm± 0.2mm （6インチ）
- 厚さ： 350 μm±25 μm
- オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°
- マイクロパイプ密度（MPD）： 2 個/cm2 以下
- 比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm
- オリフラ： // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm
- エッジ除外領域（EE）： ウェハ端から3mm
- 反り： LTV≤5μm、TTV≤15 μm、BOW≤40μm、WARP≤60 μm
- 表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi-ready （Si面Ra≤0.2 nm、C面Ra≤0.5 nm）
- エッジクラック： N/A
- 結晶多形： 累積面積≤5％
- エッジチッピング： 2 個以下、各々1mm 以内
- XRD半値幅： ≤60 arcsec
- 表面パーティクル： 0.3μm ≤30個
- 表面金属不純物： Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≤5E10atoms
- レーザーマーク： C面（裏面）側に有り
- 梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
- 荷姿サイズ：160×160×30mm 0.10kg
