68-1995-13 8×8mm Si（シリコン） （熱酸化膜付き：100-500nm） 研究用 [P（100）,1-100Ω] 片面ミラー50枚 ダイシング チップ 角基板
![8×8mm Si（シリコン） （熱酸化膜付き：100-500nm） 研究用 [P（100）,1-100Ω] 片面ミラー50枚 ダイシング チップ 角基板](https://aimg.as-1.co.jp/c/68/1995/13/68199340.jpg)
特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- サイズ（mm）：8×8
- ウェハー厚（μm）：300～1000μm
- 導電型：P型
- 面方位：100
- 抵抗値（Ω・cm）：1～100
- 面状態：ミラー／エッチド
- TTV（μm）：≦25
- 熱酸化膜：100-500nm
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- 荷姿サイズ：200×210×190mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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