67-6445-49　4インチPE-SiO2（PE-CVD）膜付きウェーハ（800nm 研究用[P（100）,1-100Ω] 片面ミラーDF品 1枚入

仕様

• サイズ：4インチシリコンウェハ
• SiO2【PE-CVD】膜厚み：800nm狙い（データ付き）
• 直径（mm）：100.0±0.2
• ウェハー厚（μm）：525±25
• 製造方法：CZ法
• 導電型：P型
• 面方位：100
• 抵抗値（Ω・cm）：1～100
• OF長（mm）：32.5±2.5
• 面状態：ミラー／エッチド
• パーティクル：ダストフリー
• TTV（μm）：≦20
• 数量：1枚（1箱）
• ※特注対応品
• その他積層膜、パターニングなど多種取り扱いが御座いますので、お気軽にご相談下さいませ。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：エッチング、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。
• 荷姿サイズ：200×210×260mm　1.00kg [荷姿サイズについて]