特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- サイズ:12インチシリコンウェハ
- 熱酸化膜膜厚み:400nm±10%
- 直径(mm):300.0±0.2
- ウェハー厚(μm):775±25
- 製造方法:CZ法
- 導電型:P型
- 面方位:100
- Notch方位:110
- 抵抗値(Ω・cm):1~100
- V Notch
- 面状態:ミラー/ミラー
- パーティクル:≧0.2μm,≦50個(成膜前)
- TTV(μm):≦10
- 数量:25枚(1箱)
- ※特注対応品
- 方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。
- ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- ※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。
- 荷姿サイズ:410×460×420mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション (サイズ違い・スペック違い・オプション品など)
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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![12インチ熱酸化膜付きウェハ(400nm±10% 研究用 [P(100),1-100Ω] 両面ミラーDF品 25枚入](https://aimg.as-1.co.jp/c/67/6444/99/67300855.jpg)