67-4940-49　20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー1000枚ダイシングチップ角基板

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特徴

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

サイズ（mm）：20×30
ウェハー厚（μm）：300～1000μm
低抵抗：≦0.0
導電型：N型
面方位：100
抵抗値（Ω・cm）：≦0.02
面状態：ミラー／エッチド
TTV（μm）：≦25
数量：1000枚
※特注対応品
両面ミラー品、高抵抗品、熱酸化膜付き品など取り扱っておりますので気になる商品など御座いましたらお気軽にお問合せ下さいませ。
ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
その他シリコンウェーハ、SICウェーハ、成膜ウェーハなど多種取り扱いを行っております。
※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります。
荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]

アズワン品番: 67-4940-49

入り数: 1箱(1000枚入)

標準価格: 867,750円（税抜）

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商品イメージ	アズワン品番商品名
	67-4940-45 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー150枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-49 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー1000枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-42 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー80枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-46 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー200枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-36 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー20枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-43 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー90枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-48 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー500枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-40 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー60枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-37 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー30枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-38 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー40枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-47 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー300枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-41 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー70枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-44 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー100枚ダイシングチップ角基板
	67-4940-39 20mm×30mm Si（シリコン）研究用 [N（100）,低抵抗≦0.02Ω,] 片面ミラー50枚ダイシングチップ角基板

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