特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- Size：2inch
- Undoped
- 直径：50.8 mm±0.3 mm
- 厚み／Thickness STD：4.5± 0.5 μm／＜3％
- GaN方位：C plane（0001）off angle toward A-axis 0.2± 0.1°
- GaN オリフラ：（1-100）0± 0.2°, 16± 1 mm
- 伝導タイプ：N-Type
- 抵抗率（300K）：＜0.5 Ω・cm
- キャリア濃度：≤ 2×1017 cm -3
- 可動性：＞ 300cm2／V・s
- 構造：～4.5μm uGaN ／～25 nm uGaN buffer／430±25 μm sapphire
- サファイア方位：C plane（0001）off angle toward M-axis 0.2± 0.1°
- サファイア オリフラ：（11-20）0± 0.2°, 16± 1 mm
- サファイア ポリッシュ：Single side polished（SSP）／Double side polished（DSP）
- 使用可能面積：＞ 90％（edge and macro defects exclusion）
- 数量：1箱（10枚入）※１枚につき1ケース
- ※特注対応品
- 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
- ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
- ※本製品は半導体
- ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
- 荷姿サイズ：200×210×190mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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