67-3018-89　［受注停止］2インチGaN on Sapphireウェハ研究用 10枚入

仕様

• Size：2inch
• Undoped
• 直径：50.8 mm±0.3 mm
• 厚み／Thickness STD：4.5± 0.5 μm／＜3％
• GaN方位：C plane（0001）off angle toward A-axis 0.2± 0.1°
• GaN オリフラ：（1-100）0± 0.2°, 16± 1 mm
• 伝導タイプ：N-Type
• 抵抗率（300K）：＜0.5 Ω・cm
• キャリア濃度：≤ 2×1017 cm -3
• 可動性：＞ 300cm2／V・s
• 構造：～4.5μm uGaN ／～25 nm uGaN buffer／430±25 μm sapphire
• サファイア方位：C plane（0001）off angle toward M-axis 0.2± 0.1°
• サファイア オリフラ：（11-20）0± 0.2°, 16± 1 mm
• サファイア ポリッシュ：Single side polished（SSP）／Double side polished（DSP）
• 使用可能面積：＞ 90％（edge and macro defects exclusion）
• 数量：1箱（10枚入）※１枚につき1ケース
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体
• ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]