67-3018-76　［受注停止］4インチGaNウェハ（Production Grade）研究用 25枚入

仕様

• グレード：Production（P grade）
• Crystal type：Single crystal
• 面方位：（0001）Ga face
• C-plane off angle toward M-axis：≤0.5°± 0.15°
• C-plane off angle toward A-axis：≤0°± 0.15°
• （002）FWHM：≦100 arcsec
• （102）FWHM：≦100 arcsec
• 曲率（格子半径）：≦10m（measured at 80％ x diameter）
• ＜電気仕様＞
• Dopingelements：室温抵抗率（300K）
• N-type（Silicon）：≦0.02 ohm-cm
• UID：≦0.2 ohm-cm
• 半絶縁（Carbon）：≧1E8 ohm-cm
• 形状仕様
• 主平面方向：M-plane（10-10）,±2°（Standard）;±0.1°（laser grade）
• 主平面長さ：32±1 mm
• マイナーオリフラ：Ga face, 90°clockwise from the major orientation flat plane
• マイナーオリフラ長さ：18±1 mm
• 直径：100.0±0.3mm
• 厚み：475±30 μm
• TTV：≦30 μm
• Sa：≦0.3 nm（10μm×10μm）
• Bow：-30μm-30μm
• 量と穴とピットの最大サイズ：≦40@1000 um
• エッジベベル
• 裏面：Polished; Etched
• 数量：1箱（25枚入）※１枚につき1ケース
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]