特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- グレード：Dummy（D grade）
- Crystal type：Single crystal
- 面方位：（0001）Ga face
- C-plane off angle toward M-axis：≤0.5°± 0.15°
- C-plane off angle toward A-axis：≤0°± 0.15°
- （002）FWHM：≦100 arcsec
- （102）FWHM：≦100 arcsec
- 曲率（格子半径）：≦10m（measured at 80％ x diameter）
- ＜電気仕様＞
- Dopingelements：室温抵抗率（300K）
- N-type（Silicon）：≦0.02 ohm-cm
- UID：≦0.2 ohm-cm
- 半絶縁（Carbon）：≧1E8 ohm-cm
- 形状仕様
- 主平面方向：M-plane（10-10）,±2°（Standard）;±0.1°（laser grade）
- 主平面長さ：16±1 mm
- マイナーオリフラ：Ga face, 90°clockwise from the major orientation flat plane
- マイナーオリフラ長さ：8±1 mm
- 直径：50.8±0.3mm
- 厚み：400±30 μm
- TTV：≦15 μm
- Sa：≦0.3 nm（10μm×10μm）
- Bow：-10μm-5μm
- 量と穴とピットの最大サイズ：≦60@1500 um
- エッジベベル
- 裏面：Polished; Etched
- 数量：1箱（3枚入）※１枚につき1ケース
- ※特注対応品
- 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
- ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
- 荷姿サイズ：200×210×190mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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