67-3018-39　8インチSICウェハ（プロダクショングレード/4H-N）研究用 1枚入

仕様

• グレード：プロダクショングレード
• タイプ：4H
• Surface orientation error：＜11-20＞4±0.5 °
• ドーパント：N型 Nitrogen
• 抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm
• 直径：200.0±0.2mm
• 厚み：500±25 μm
• 主要ノッチ方位：[1-100]±5 °
• 主要ノッチ深さ：1-1.5 mm
• セカンドオリフラ：None
• LTV：≤5（10mm×10mm）μm
• TTV：≤10μm
• Bow：0±25μm
• Warp：≤30μm
• （AFM）Front（Si-face）Roughness：Ra≤0.2 nm
• マイクロパイプ：≤2ea／cm
• 金属不純物：≤1E11atoms／cm
• TED：≤7000ea／cm
• BPD：≤2000ea／cm
• TSD：≤500ea／cm
• ＜表面状態＞
• フロントサイド：Si
• 面状態：Si-face CMP
• パーティークル：≤100（size≥0.3μm）ea／wafer
• スクラッチ：≤5,Total Length≤200mmea／wafer
• ＜裏面状態＞
• 面状態：C-face polished
• スクラッチ：NA ea／mm
• 裏面粗さ：Ra≤5 nm
• レーザーマーク：On
• エッジ：Chamfer
• Notes："NA" = 不問。 Items not metioned may refer to SEMI-STD
• 数量：1枚（1箱）
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]