67-3018-21　4インチSICウェハ（Dummy/4H-N）研究用 5枚入

仕様

• グレード：Dummy
• タイプ：4H
• Surface orientation error：＜11-20＞4±0.15°
• ドーパント：n-type
• 抵抗率：0.015～0.025Ω
• 直径：99.5～100mm
• 厚み：350±25μm
• 1次オリフラ：[1-100]±5°
• 1次オリフラ長さ：32.5±1.5mm
• 2次オリフラ：18±1.5mm
• TTV：20μm
• Bow：45～45μm
• Warp：50μm
• 表面仕上げ：Si面 CMP Si-faceCMP
• 表面粗さ（Si-face）：Ra≤0.2nm（5μm×5μm）
• マイクロパイプ：≤10ea／cm2
• ブラックレーザーマーキング：1mm（from top edge）
• 数量：1箱（5枚入）※１枚につき1ケース
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]