67-3018-15　［受注停止］4インチGaASウェハ（Dopad：Undoped）研究用 1枚入

仕様

• 4インチGaASウェハ（Dopad：Undoped）
• 成長方法：VGF
• ドーパント：Undoped
• 直径：100±0.25mm
• 面方位：EJ [0- 1- 1]±0.50
• メインオリフラ：EJ [0-1-1]±0.50
• メインオリフラ長さ：32.5±1mm
• 抵抗率：EJ [0- 1- 1]±0.50
• 可動性：＞4000cm2／v.s
• 転位密度：＜5000cm2
• 厚み：625±25μm
• TTV：≤15μm
• TIR：≤15μm
• Bow：≤15μm
• Warp：≤15μm
• エッジ：0.375mmR
• パーティークル：＜50／wafer（for パーティークル＞0.3um）
• レーザーマーク：N／A
• ポリッシュ：P／E,SSP
• 表面：Epi-Ready,Single wafer case
• 数量：1枚（1箱）
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]