67-3018-13　［受注停止］4インチGaASウェハ（Dopand：Si Type：N）研究用 10枚入

仕様

• 4インチGaASウェハ（ドーパント：Si Type：N）
• 成長方法：VGF
• ドーパント：Si
• タイプ：N
• 直径：100±0.25mm
• 面方位：（100）15°±0.5 ° off toward 〈111〉 A
• メインオリフラ：EJ [0-1-1]±0.50
• メインオリフラ長さ：32.5±1mm
• 抵抗率：（0.8-9）×10-3条ohm.cm
• 可動性：＞1000cm2／v.s
• 転位密度：＜5000cm2（Q／CT-001 Inspection standard for VGF crystals）
• 厚み：350±25μm
• TTV：≤10μm
• TIR：≤10μm
• Bow：≤10μm
• Warp：≤10μm
• エッジ：0.25mmR
• パーティークル：＜50／wafer（for パーティークル＞0.3um）
• レーザーマーク：N／A
• ポリッシュ：P／E,SSP
• 表面：Epi-Ready,Single wafer case
• 数量：1箱（10枚入）※１枚につき1ケース
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• ※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]