![2インチINPウェハ（Prime） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 1枚入](https://aimg.as-1.co.jp/c/67/3011/39/67301135.jpg)
![2インチINPウェハ（Prime） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 1枚入](https://aimg.as-1.co.jp/c/67/3011/39/67301135a.jpg)
特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- グレード：Prime
- 材料：InP
- コンディションタイプ／ドーパント：S-C-N／S
- 直径：50.05±0.2mm
- 方向：（100）±0.5°
- フラットオペーション：EJ
- 1次オリフラ：（0-1-1）
- ファーストOF長さ：16±2mm
- 2次オリフラ：（0-11）
- セカンドOF長さ：7±1mm
- キャリア濃度：2E18～8E18cm⁻3
- 抵抗率：0.6-3～2.5E-3ohm・cm
- 可動性：1000～2000cm2／V・sec
- EPD：Ave＜：5000cm⁻2
- レーザーマーク：Back side major flat
- エッジラウンディング：0.25mmR（Conform to SEMI Standards）
- 厚み：325～375μm
- TTV：Max：10μm
- TIR：Max：10μm
- BOW：Max：10μm
- Warp：Max：15μm
- 面状態：Side1：PolishedSide2：Etched
- パッケージ：individual container filled with N₂
- Epi-ready：Yes
- 数量：1枚（1箱）
- ※特注対応品
- 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
- ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- 荷姿サイズ：200×210×190mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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67-3011-37
2インチINPウェハ（DUMYY） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 5枚入
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67-3011-38
2インチINPウェハ（DUMYY） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 10枚入
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67-3011-39
2インチINPウェハ（Prime） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 1枚入
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67-3011-40
2インチINPウェハ（Prime） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 3枚入
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67-3011-36
2インチINPウェハ（DUMYY） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 3枚入
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67-3011-42
2インチINPウェハ（Prime） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 10枚入
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67-3011-41
2インチINPウェハ（Prime） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 5枚入
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67-3011-35
2インチINPウェハ（DUMYY） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 1枚入
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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