67-3011-35　2インチINPウェハ（DUMYY） 研究用[S-C-N/S（100）] 片面ポリッシュ 1枚入

仕様

• グレード：Dummy
• 材料：InP
• コンディションタイプ／ドーパント：S-C-N／S
• 直径：50.0±0.5mm
• 方向：（100）±0.5°
• Lamellar twin area：useful single crystal area with（100）orientation＞80％
• 1次オリフラ：EJ（0-1-1）
• ファーストOF長さ：16±2mm
• 2次オリフラ：EJ（0-11）
• セカンドOF長さ：7±1mm
• レーザーマーク：Back side major flat
• エッジラウンディング：0.25（Conform to SEMI Standards）mmR
• 厚み：300∼400μm
• 面状態：Side1：Polished／Side2：Etched
• パッケージ：individual container filled with N₂
• Epi-ready：Yes
• 数量：1枚（1箱）
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]