特徴
- 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
- 4インチLTウェハ
- 結晶方位：Y42°
- 厚み：250±25μm
- 面状態：片面ポリッシュ
- 数量：1枚（1箱）
- ※特注対応品
- 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
- 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
- ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
- ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
- 荷姿サイズ：200×210×190mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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67-3009-59
4インチLNウェハ（結晶方位：Y36°） 両面ポリッシュ 25枚入
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67-3009-76
4インチLTウェハ（結晶方位：Y42°） 片面ポリッシュ 1枚入
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67-3009-77
4インチLTウェハ（結晶方位：Y42°） 片面ポリッシュ 5枚入
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67-3009-66
4インチLNウェハ（結晶方位：Z軸） 両面ポリッシュ 10枚入
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67-3009-56
4インチLNウェハ（結晶方位：Y36°） 両面ポリッシュ 1枚入
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67-3009-63
4インチLNウェハ（結晶方位：Y128°） 片面ポリッシュ 25枚入
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67-3009-67
4インチLNウェハ（結晶方位：Z軸） 両面ポリッシュ 25枚入
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67-3009-62
4インチLNウェハ（結晶方位：Y128°） 片面ポリッシュ 10枚入
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67-3009-58
4インチLNウェハ（結晶方位：Y36°） 両面ポリッシュ 10枚入
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67-3009-60
4インチLNウェハ（結晶方位：Y128°） 片面ポリッシュ 1枚入
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67-3009-65
4インチLNウェハ（結晶方位：Z軸） 両面ポリッシュ 5枚入
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67-3009-78
4インチLTウェハ（結晶方位：Y42°） 片面ポリッシュ 10枚入
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67-3009-79
4インチLTウェハ（結晶方位：Y42°） 片面ポリッシュ 25枚入
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67-3009-64
4インチLNウェハ（結晶方位：Z軸） 両面ポリッシュ 1枚入
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67-3009-57
4インチLNウェハ（結晶方位：Y36°） 両面ポリッシュ 5枚入
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67-3009-61
4インチLNウェハ（結晶方位：Y128°） 片面ポリッシュ 5枚入
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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