67-3009-49　3インチLNウェハ（結晶方位：Y36°） 片面ポリッシュ 5枚入

特徴

• 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

• 3インチLNウェハ
• 結晶方位：Y36°
• 厚み：800±25μm
• 面状態：片面ポリッシュ
• 数量：1枚（1箱）
• ※特注対応品
• 方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
• 多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• 荷姿サイズ：200×210×190mm　1.00kg [荷姿サイズについて]