特徴
- MOSFET SI9945AEY-T1-E3 VISHAY製を販売します。
仕様
- FETタイプ：2Nチャンネル（デュアル）
- FET機能：論理レベルゲート
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V
- 電流-25℃での連続ドレイン（Id）：3.7A
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）：80ミリオーム @ 3.7A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）：3V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：20nC @ 10V
- 電力-最大：2.4W
- 動作温度：-55℃～175℃（TJ）
- 実装タイプ：面実装
- パッケージ/ケース：8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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