特徴
- MOSFET SI7411DN-T1-GE3 VishaySiliconix製を販売します。
仕様
- FETタイプ：Pチャンネル
- 技術：MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V
- 電流-25℃での連続ドレイン（Id）：7.5A（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.8V、4.5V
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）：19ミリオーム @ 11.4A、4.5V
- Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 300μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）：41nC @ 4.5V
- Vgs（最大）：±8V
- 消費電力（最大）：1.5W（Ta）
- 動作温度：-55℃～150℃（TJ）
- 実装タイプ：面実装
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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