64-6096-83 デバイスモデリング教材 パワーMOSFET編 DM-004
[Bee Technology] Device Modeling Teaching Materials Power MOSFET Edition
仕様
- 今だけ20％OFF！！【概要】
- パワー・エレクトロニクスにおいて主役でもあるパワーMOSFETのデバイスモデリングの教材です。
- パワーMOSFETは、本体のMOSFETとボディ・ダイオードで構成されております。
- それぞれのデバイスモデリングのポイント、注意点、最適なモデリングのプロセスについて解説しています。
- パワーMOSFETのご理解に是非、ご活用下さい。
- 【目次】
- 1. デバイスモデリングについて
- 2. パワー MOSFET のデバイスモデリング
- パワー MOSFET
- 2.1 L、W、TOX の定数決定方法
- 2.2 KP の抽出方法
- 2.3 VTO の抽出方法
- 2.4 RD の抽出方法
- 2.5 RDS の抽出方法
- 2.6 CGSO、CGDO の抽出方法
- 2.7 MJ、PB の抽出方法
- 2.8 RG の抽出方法
- ボディ・ダイオード
- 2.9 IS、N、RS、IKF の抽出方法
- 2.10 TT（trj） の抽出方法
- 2.11 サブサーキットの記述方法
- 3. デバイスモデルの評価方法
- パワー MOSFET
- 3.1 Vgs-ld 特性の評価解析シミュレーション
- 3.2 Rds（on） Resistance の評価解析シミュレーション
- 3.3 ゲート・チャージ特性の評価解析シミュレーション
- 3.4 容量特性（VdS vs. Cbd）の評価解析シミュレーション
- 3.5 td（on） の評価解析シミュレーション
- ボディ・ダイオード
- 3.6 Vsd vs. ls 特性の評価解析シミュレーション
- 3.7 逆回復特性の評価解析シミュレーション
- 4. モデルの弱点について（ゲート・チャージ特性）
- 5. サーマル・デバイスモデルについて
- 6. 質疑応答
