64-6096-82　デバイスモデリング教材 逆回復特性を考慮したダイオードモデル編　DM-003

仕様

• 今だけ20％OFF！！【概要】
• ダイオードのパラメータ・モデルでは、逆回復特性をパラメータTT、1個で表　現しており、逆回復特性を　忠実に表　現しておりません。
• 逆回復特性を忠実に再現する為には、等価回路モデルを採用しなければなりません。
• このモデルの用途は、回路上にて、スイッチング時間が影響する場合、特にパワー・エレクトロニクスにおいて、パワーMOSFETのボディダイオード、IGBTのFWDに有効です。
• 等価回路モデルのご紹介、等価回路モデルのご理解に是非、ご活用下さい。
• また、電流減少率（didt）　モデルの最新研究の成果、及びサーマル・デバイスモデルも掲載しています。　
• 【目次】
• 1.　デバイスモデリングとは
• 2.　デバイスモデリング
• 2.1　ダイオードのパラメータ・モデルとビヘイビア・モデルの相違点
• 2.2　ビヘイビア・モデルの考え方（5　方式：ビー・テクノロジー考案）
• 2.3　順方向特性のパラメータの抽出方法
• 2.4　容量特性ののパラメータの抽出方法
• 2.5　逆回復特性の抽出方法
• 3.　デバイスモデルの評価方法
• 3.1　順方向特性の評価解析シミュレーション
• 3.2　容量特性の評価解析シミュレーション
• 3.3　逆回復特性の評価解析シミュレーション
• 4.　サーマル・デバイスモデリング
• 5.　ダイオードモデルのデバイスモデリング実習
• 5.1　デバイスモデリング
• 5.2　評価回路シミュレーション
• 6.　FCC回路におけるノイズ解析シミュレーション
• 6.1　FCC回路方式
• 6.2　回路解析シミュレーションの考え方
• 6.3　デバイスモデルを組み込み、回路解析シミュレーション
• 7.　電波減少率　didt　モデルのご紹介
• 8.　質疑応答