仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：800 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：TSMT
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：900 mW
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：1.7 nC @ 5 V （Nチャンネル）
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-5723
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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