64-2796-68 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージHSOP 8 ピン HP8MA2TB1
[ROHM] HP8MA2TB1 Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 15 (P Channel) A, 18 (N Channel) A, 30 (N Channel) V, 30 (P Channel) V
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：15 A （Pチャンネル）, 18 A （Nチャンネル）
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 （Nチャンネル） V、30 （Pチャンネル） V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：16.5 mΩ （Nチャンネル）, 29 mΩ （Pチャンネル）
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5 （N Channel） V, 2.5 （P Channel） V
- 最低ゲートしきい値電圧：1 （N Channel） V, 1 （P Channel） V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V （Nチャンネル）, ±20 V （Pチャンネル）
- パッケージタイプ：HSOP
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：7 W
- 幅：5.8mm
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-5714
