64-2794-91 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 60 A 表面実装 パッケージPowerPAIR 6 x 5 SiZF906ADT-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiZF906ADT-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：60 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.005 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V、+20 V
- パッケージタイプ：PowerPAIR 6 x 5
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：83 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3954
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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