64-2794-83 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 30 A 表面実装 パッケージPowerPAIR 3 x 3 1袋（10個入） SiZ348DT-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiZ348DT-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：30 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.01 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V、+20 V
- パッケージタイプ：PowerPAIR 3 x 3
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：16.7 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3932
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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