64-2794-82 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン SiRA62DP-T1-RE3
[Vishay Siliconix] SiRA62DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 80 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.001 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +16 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：65.7 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：4460 pF @ 15 V
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3928
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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