64-2794-81 Nチャンネル パワーMOSFET 250 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 7 + Tab ピン 1袋（5個入） SQM40016EM_GE3
[Vishay Siliconix] SQM40016EM_GE3 N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V TrenchFET, 7 + Tab-Pin D2PAK Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：250 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.001 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：7 + Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：300 W
- 標準ターンオン遅延時間：24 ns
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3926
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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