64-2794-70 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 12 A 表面実装 パッケージSC-70 6 ピン 1袋（10個入） SiA106DJ-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiA106DJ-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V TrenchFET, 6-Pin SC-70 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：12 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.02 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SC-70
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：19 W
- 順方向トランスコンダクタンス：25S
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3901
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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