64-2794-66 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン 1袋（10個入） SQJ504EP-T1_GE3
[Vishay Siliconix] SQJ504EP-T1_GE3 Dual N-Channel MOSFET, 30 (N Channel) A, 30 (P Channel) A, 40 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：30 A （Nチャンネル）, 30 A （Pチャンネル）
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V （Nチャンネル）, 40 V （Pチャンネル）
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.03 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：34 W （Nチャンネル）, 34 W （Pチャンネル）
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3893
