64-2794-65 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 12.3 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン Si7434ADP-T1-RE3
[Vishay Siliconix] Si7434ADP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：12.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：250 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.17 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：54.3 W
- 長さ：5.99mm
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3890
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|