64-2794-64 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 35 A 表面実装 パッケージ1212 8 ピン SiSH617DN-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiSH617DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1袋（25個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：35 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.02 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±25 V
- パッケージタイプ：1212
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：52 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3888
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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