64-2794-53 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージPowerPAIR 6 x 5 8 ピン SIZF916DT-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SIZF916DT-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 40 (Channnel 1) A, 60 (Channel 2) A, 30 V TrenchFET, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：40 A （チャンネル1）, 60 A （チャンネル2）
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V （チャンネル2）, 30 V （チャンネル1）
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.006 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.4V
- パッケージタイプ：PowerPAIR 6 x 5
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：26.6 W （チャンネル1）, 60 W （チャンネル2）
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3861
