64-2794-49 Nチャンネル パワーMOSFET 150 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 7 + Tab ピン 1セット(800個入) SQM40022EM_GE3
[Vishay Siliconix] SQM40022EM_GE3 N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V TrenchFET, 7 + Tab-Pin D2PAK Vishay Siliconix仕様
- 入数:1リール(800個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:150 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:0.003 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧:2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧:3.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧:±20 V
- パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:150 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:該当なし
- コード番号:178-3725
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
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