64-2794-42 Pチャンネル パワーMOSFET 9.4 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン 1セット（3000個入） SQJ431AEP-T1_GE3
[Vishay Siliconix] SQJ431AEP-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：9.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.76 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：68 W
- 標準ターンオン遅延時間：16 ns
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3718
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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