64-2794-41 Pチャンネル パワーMOSFET 30 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン 1セット（3000個入） SQJ415EP-T1_GE3
[Vishay Siliconix] SQJ415EP-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：30 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.02 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：45 W
- 標準ターンオフ遅延時間：67 ns
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3717
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|