64-2794-39 Pチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージTO-252 3 + Tab ピン 1セット（2000個入） SQD40031EL_GE3
[Vishay Siliconix] SQD40031EL_GE3 P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V TrenchFET, 3 + Tab-Pin DPAK Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（2000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.005 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：TO-252
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：136 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3715
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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