64-2794-33 Nチャンネル パワーMOSFET 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1セット（3000個入） SQ2364EES-T1_GE3
[Vishay Siliconix] SQ2364EES-T1_GE3 N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V TrenchFET, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.6 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：0.46V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±8 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3708
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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