64-2794-23 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 40 A 表面実装 パッケージ1212 8 ピン SISC06DN-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SISC06DN-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：40 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.004 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V、+20 V
- パッケージタイプ：1212
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：46.3 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3694
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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